胎兒最怕這幾種致畸輻射源,最后一種潛藏太深,孕媽防不勝防

文 | 幸孕姐(高級母嬰護理師 , 擁有本文版權 , 歡迎分享)

胎兒畸形 , 這四個字應該是孕媽最不愿聽到、最怕遇到的 。 其實 , 畸形不是平白無故發生的 , 下面給大家介紹幾個可怕的致畸輻射源 , 希望孕媽們能夠學會避開——


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一、CT檢查

是現代一種較為先進的醫學影像檢查技術 , 包括平掃CT、增強CT掃描以及腦池造影CT 。

由于該檢查釋放出來的屬于電離輻射 , 這種輻射穿透力強且能量巨大 , 它能夠改變DNA結構的射線 , 建議不要多接觸 。

有研究表明 , 大劑量的電離輻射 , 可能引起胎兒畸形 , 尤其是在器官發生期間(受孕后的2至7周)以及胎兒發育早期(受孕后8~15周) , 致畸風險最大 。 其中 , 前者可能會增加胎兒生長受限以及出生缺陷的風險 。 后者則會增加寶寶將來學習以及智力殘疾的風險 。


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