早在2014年6月24日，國務(wù)院印發(fā)《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推動綱領(lǐng)》，將集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展上升為國家戰(zhàn)略 。當年9月24日，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金。
【突然殺出一個合肥長鑫】9月21日，2019世界制造業(yè)大會制造強國建設(shè)專家論壇在合肥召開，合肥長鑫宣布總投資1500億元的合肥長鑫DRAM芯片自主制造項目投產(chǎn)，將生產(chǎn)國內(nèi)第一代基于10nm級（19nm）制程工藝的8Gb DDR4內(nèi)存 。

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朱一明表示，“投產(chǎn)的8Gb DDR4通過了多個國內(nèi)外大客戶的驗證，今年底正式交付，另有一款供移動終端使用的低功耗產(chǎn)品也即將投產(chǎn) ?！?br /> 到了今年5月14日，京東上架第一個純國產(chǎn)DDR4內(nèi)存(采取國產(chǎn)長鑫顆粒)——光威弈系列Pro，這是合肥長鑫的第一個消費級DRAM芯片產(chǎn)品 。
在2016年5月立項到2020年5月14日消費級產(chǎn)品上市，短短的五年時間內(nèi)內(nèi)，合肥長鑫在元件、光罩、設(shè)計、制造和測試領(lǐng)域都積累了許多的技術(shù)和經(jīng)驗 。
截止到5月19日 ， 公開查詢到合肥長鑫的發(fā)明專利及授權(quán)發(fā)明專利超過850項，取得轉(zhuǎn)移專利50余項，在一份“不公布發(fā)明人”的轉(zhuǎn)移專利中 ， 我們看到了一份名為“隔離溝槽的填充方法、裝備及隔離溝槽的填充結(jié)構(gòu)”的專利，這便是現(xiàn)階段合肥長鑫DRAM芯片的主要技術(shù)之一 。
除了自主研發(fā)外，合肥長鑫的另外一個關(guān)鍵詞是“奇夢達” ， 這是朱一明歐洲之行的另外一個成果 。
關(guān)于本次突然殺出一個合肥長鑫的問題分享到這里就結(jié)束了，如果解決了您的問題 ， 我們非常高興 。

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